Планирование стратегии разработки для производственного процесса на основе нитрида галлия. Организация и контроль выполнения технологических экспериментов. Подбор оборудования, измерительных стендов и методик измерений. Взаимодействие со сторонними организациями, участие в переговорах и подписании технических заданий, ведение ОКР. Планирование работ с участием сторонних организаций.

Разработка топологий для транзисторов на основе нитрида галлия и арсенида галлия. Внедрение технологических блоков в процесс производства, взаимодействие с технологическими подразделениями. Разработка методик измерений и характеризации полупроводниковых приборов, разработка контрольных и тестовых структур. Контроль производства транзисторов, выставление электрических, оптических и других критериев.

Проведение измерений на постоянном токе, емкостных и СВЧ измерений на ручных и полуавтоматических зондовых станциях Сборка, отладка и подержание работоспособности измерительной системы Экстрагирование и верификация моделей, оптимизация параметров модели в PDK Разработка PDK в среде AWR Design Environment Физическое моделирование

Данная работа является продолжением практики, начатой в 2009 году на 3 курсе университета, проходящей в лаборатории квантоворазмерных гетероструктур. Лаборатория занимается выращиванием полупроводниковых кристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и постростовыми исследованиями. В обязанности лаборанта входит работа с установкой МПЭ, её обслуживание, разработка выращиваемых структур, работа с установкой ДРОН (дифрактометр рентгеновского излучения), измерение электрофизических свойств кристаллов методом Холла. Моя работа была сосредоточена на исследованиях гетероструктур на основе антимонида индия. В ходе данной работы мной подготовлены материалы для докладов на российской научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» и 17 европейской конференции European Molecular Beam Epitaxy Workshop Euro-MBE. Мной на российской молодежной конференции по физике и астрономии представлен доклад "Анализ зонной диаграммы гетероструктур AlInSb/InSb и особенности их роста методом МПЭ", который был награжден дипломом.