Участие в разработке, сборке, испытаниях, приемке, сдаче оборудования и технологических процессов эпитаксии Si, SiGe, GaN по ТЗ заказчика; Создание принципиальных схем на разрабатываемое оборудование, оформление заявок на закупку, выбранных покупных изделий, в 1С; Изучение современных технологий эпитаксии Si, SiGe и GaN, участие в разработке ТЗ на создание таких установок; Разработка Технологической Документации на эпитаксиальные и другие процессы; Дополнительно: участие в испытаниях, приемке, сдаче оборудования CVD, MOCVD, ПХО (PECVD, SACVD), ПХТ, PVD; Оформление документации по ГОСТ: ТЗ, ТТ, РЭ, РО, ТО, ТУ, ФО, ВЭ, акты, протоколы, программы и методики испытаний; Отладка и запуск оборудования, наладка технологических процессов, проведение испытаний (предварительных, приемочных); Создание ТЗ на разработку отдельных систем и узлов оборудования, контроль исполнения, тестирование, внедрение в оборудование и технологические процессы; Изучение отечественной и иностранной литературы по теме, написание обзоров литературы, участие в лекциях, конференциях, выставках.

Участие в разработке, сборке, испытаниях, приемке, сдаче оборудования и технологических процессов эпитаксии Si, SiGe, GaN по ТЗ заказчика; Создание принципиальных схем на разрабатываемое оборудование, оформление заявок на закупку, выбранных покупных изделий, в 1С; Изучение современных технологий эпитаксии Si, SiGe и GaN, участие в разработке ТЗ на создание таких установок; Разработка Технологической Документации на эпитаксиальные и другие процессы; Дополнительно: участие в испытаниях, приемке, сдаче оборудования CVD, MOCVD, ПХО (PECVD, SACVD), ПХТ, PVD; Оформление документации по ГОСТ: ТЗ, ТТ, РЭ, РО, ТО, ТУ, ФО, ВЭ, акты, протоколы, программы и методики испытаний; Отладка и запуск оборудования, наладка технологических процессов, проведение испытаний (предварительных, приемочных); Создание ТЗ на разработку отдельных систем и узлов оборудования, контроль исполнения, тестирование, внедрение в оборудование и технологические процессы; Изучение отечественной и иностранной литературы по теме, написание обзоров литературы, участие в лекциях, конференциях, выставках.

Отдел эпитаксиальных гетероструктур. Обязанности: Моделирование процесов эпитаксии III-V с использованием программного обеспечения VR™-III-V (STR soft-MOCVD – AIXTRON G4). Разрабатывать рецепты эпитаксиального роста и анализировать данные характеристик материалов для разработки новых процессов и оптимизации процессов. Проводить тестирование и контроль закрепленным за ним промежуточной и готовой продукции вверенного цеха с ведением записей в соответствии с рабочими инструкциями. Обеспечивать стабильную работу оборудования эпитаксии на своем участке. Проводить испытания технологического оборудования, экспериментальные работы по проверке и освоению проектируемых технологических процессов и режимов производства. Участвовать в разработке планов исследовательских работ и поэтапных графиков их выполнения.